1、LC型,π型,T型抗EMI滤波器,要求高μi,高Bs。抗EMI滤波器的电感器尽量减少匝数,以得到小的分布电容,改善高频性能,扩展频带范围。如果是作为滤除较低频率的EMI信号或电源噪声滤波器使用时,磁导率要求更高(μi>1500)
2、低Hc,从而减小磁滞损耗;
3、高ρ,减小高频下涡流损耗;
4、高ωc(fr),适当的截止频率,以展宽频段;
5、高Tc,以适应各类工作环境;
6、具有某一特定的损耗频率响应曲线,在需要衰减EMI信号的频段内损耗较大,足以把EMI衰减到最低电平,而在需要传输信号的频段内损耗较小,信号容易通过。
不过,磁芯性能与其工作频率关系极大,而电磁波干扰信号的频率范围又相当宽,现在完全能满足上面六条要求的磁芯材料还没有。
目前主要开发的抗EMI滤波器材料系列主要分为铁氧体系列、纳米晶软磁系列,六角Co2Z系列,复合双性系列四大类。
各种抗电磁干扰材料的国际水平
|
材料牌号 |
μi |
Bs (mT) |
Br (mT) |
Tc (℃) |
F (MHz) |
ρ (Ω/㎝) |
|
|
美国 CM公司 |
25 |
125 |
425 |
260 |
≧225 |
1~1000 |
108 |
|
28 |
450 |
330 |
210 |
≧175 |
1~600 |
- |
|
|
美国 Steward公司 |
29 |
850 |
330 |
226 |
≧175 |
1~300 |
105 |
|
27 |
1250 |
323 |
161 |
≧120 |
1~100 |
108 |
|
|
日本TDK |
|
45~1500 |
280~310 |
150~280 |
100~300 |
1~1200 |
≧105 |
|
日本富士 |
RN |
130 |
400 |
270 |
≧200 |
1~500 |
108 |
|
HT |
480 |
360 |
220 |
≧160 |
1~300 |
105 |
|
|
NF |
900 |
320 |
200 |
≧180 |
1~200 |
108 |
|
|
BL |
1000 |
310 |
150 |
≧130 |
1~100 |
108 |
|
|
日本东芝 |
TH |
250~5000 |
1150 |
150 |
≧400 |
1~1500 |
- |
|
韩国Core (纳米软磁) |
CY |
400~6000 |
1200 |
130 |
≧420 |
1~2000 |
|
|
HK |
300~5000 |
1180 |
160 |
≧450 |
1~100 |