作为抗EMI滤波器,要求衰减速度快,频带范围宽,同时应保证工作频率范围内信号不失真,能适应各种环境使用。这就对其磁芯材料提出了以下要求:

1、LC型,π型,T型抗EMI滤波器,要求高μi,高Bs。抗EMI滤波器的电感器尽量减少匝数,以得到小的分布电容,改善高频性能,扩展频带范围。如果是作为滤除较低频率的EMI信号或电源噪声滤波器使用时,磁导率要求更高(μi>1500)  

2、低Hc,从而减小磁滞损耗;

3、高ρ,减小高频下涡流损耗;

4、高ωc(fr),适当的截止频率,以展宽频段;

5、高Tc,以适应各类工作环境;

6、具有某一特定的损耗频率响应曲线,在需要衰减EMI信号的频段内损耗较大,足以把EMI衰减到最低电平,而在需要传输信号的频段内损耗较小,信号容易通过。

不过,磁芯性能与其工作频率关系极大,而电磁波干扰信号的频率范围又相当宽,现在完全能满足上面六条要求的磁芯材料还没有。

目前主要开发的抗EMI滤波器材料系列主要分为铁氧体系列、纳米晶软磁系列,六角Co2Z系列,复合双性系列四大类。

各种抗电磁干扰材料的国际水平

 

材料牌号

μi

Bs

(mT)

Br

(mT)

Tc

(℃)

F

(MHz)

ρ

(Ω/㎝)

美国

CM公司

25

125

425

260

225

1~1000

108

28

450

330

210

175

1~600

-

美国

Steward公司

29

850

330

226

175

1~300

105

27

1250

323

161

120

1~100

108

日本TDK

 

45~1500

280~310

150~280

100~300

1~1200

105

日本富士

RN

130

400

270

200

1~500

108

HT

480

360

220

160

1~300

105

NF

900

320

200

180

1~200

108

BL

1000

310

150

130

1~100

108

日本东芝

TH

250~5000

1150

150

400

1~1500

-

韩国Core

(纳米软磁)

CY

400~6000

1200

130

420

1~2000

 

HK

300~5000

1180

160

450

1~100

 

 

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